Funcionamiento de un Transistor BJT

Tomando como ejemplo un BJT de unión NPN, la parte de material semiconductor tipo P, la base, sería más angosta que las otras dos partes tipo N, el colector y emisor, de la siguiente manera:

Diagrama de un Transistor BJT NPN

El material tipo N es abundante en electrones libres, mientras que el material tipo P es abundante en huecos. En la union entre los materiales semiconductores, los electrones se desplazan a el material tipo P, esto causa que la región P tenga una carga ligeramente negativa y la región N una carga ligeramente negativa formando un campo electrico denominado barrera de potencial que se opone al paso de mas electrones a través de la unión.

Debido a que la base es mas angosta que el emisor y colector, al conectar una fuente de voltaje a la base, podemos reducir esta barrera de potencial y permitir el paso de electrones a través del componente.

Circuito básico con BJT